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Samsung M312L3310DT0-CB0Q0 1 GB (4x256 MB) PC2100 DDR-266 MHz ECC CL2.5 184P Speicher-
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- Sofort-KaufenSamsung M312L3310DT0-CB0Q0 1 GB (4x256 MB) PC2100 DDR-266 MHz ECC CL2.5 184P Speicher
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Artikelmerkmale
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- Gebraucht
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- Data Transfer Rate
- 266Mhz
- Total Capacity
- 256 MB
- Capacity per Module
- 1 GB
- Part Number
- 261583-031
- Error Correction
- Registered ECC
- MPN
- M312L3310DT0-CB0Q0, 261583-031
- Cycle Time
- 7.5ns
- Brand
- Samsung
- Type
- DDR SDRAM
- Number of Modules
- 4
- Bus Type
- PC-2100
- Cas
- CL2.5
- Voltage
- 2.5
- Number of Pins
- 184
- Model
- M312L3310DT0-CB0Q0
- Bus Speed
- PC2100 DDR-266MHz
- Memory Clock
- 133Mhz
Artikelbeschreibung des Verkäufers
Rechtliche Informationen des Verkäufers
Russell Jackson
Mark Nielson
32 Bloomsbury Street
London
London
WC1B 3QJ
United Kingdom
USt-IdNr.:
- GB 788005803
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