MJE350 Transistor Silizium PNP - GEHÄUSE TO126 - HERSTELLER STMicroelectronics

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Über dieses Produkt

Produktkennzeichnungen

MarkeSTMicroelectronics
HerstellernummerMJE350
eBay Product ID (ePID)1004510002

Produkt Hauptmerkmale

Transistor-TypLeistungstransistor
ProduktartPNP
Maximale Basis-Emitter Spannung300 V
Maximale Verlustleistung20 W
GehäuseSOT-32
Maximaler DC Kollektorstrom2 A
Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung300 V
Maximale Betriebstemperatur150 °C
Maximale Basis-Emitter Sättigungsspannung0,5 V
MontageartDurchsteckmontage
Anzahl der Pins3
MaßeinheitEinheit
Minimale Betriebstemperatur-65 °C
Kollektor-Emitter-Spannung300 V
Anzahl der Elemente pro Chip1
Maximale Kollektor-Basis Spannung300 V

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