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MJE350 Transistor Silizium PNP - GEHÄUSE TO126 - HERSTELLER STMicroelectronics

Kessler-electronic (791905)

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Über dieses Produkt

Produktkennzeichnungen

MarkeSTMicroelectronics

HerstellernummerMJE350

eBay Product ID (ePID)1004510002

Produkt Hauptmerkmale

Transistor-TypLeistungstransistor

ProduktartPNP

Maximale Basis-Emitter Spannung300 V

Maximale Verlustleistung20 W

GehäuseSOT-32

Maximaler DC Kollektorstrom2 A

Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung300 V

Maximale Betriebstemperatur150 °C

Maximale Basis-Emitter Sättigungsspannung0,5 V

MontageartDurchsteckmontage

Anzahl der Pins3

MaßeinheitEinheit

Minimale Betriebstemperatur-65 °C

Kollektor-Emitter-Spannung300 V

Anzahl der Elemente pro Chip1

Maximale Kollektor-Basis Spannung300 V

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